Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия - Михаил Гук
- Дата:20.06.2024
- Категория: Компьютеры и Интернет / Компьютерное "железо"
- Название: Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия
- Автор: Михаил Гук
- Просмотров:4
- Комментариев:0
Шрифт:
Интервал:
Закладка:
¹ Модули ECC различных производителей могут отличаться по назначению выводов. Некоторые модули по выводам совпадают с паритетными, но могут различаться по связям контрольных бит с сигналами RASx# и CASx#.
² Могут существенно отличаться по назначению у модулей ЕСС. Сигналы DQ[36:39] имеются только в модулях ЕСС-40. В скобках приведены назначения выводов модулей фирмы IBM.
Сигналы модулей SIMM (табл. 7.10) в основном совпадают с сигналами микросхем динамической памяти. Для идентификации модулей предназначены сигналы PD[1:5]. По заземленным (на модуле) сигналам системная плата может распознать быстродействие (тип) и объем установленной памяти. Стандарт JEDEC для SIMM-72 определяет следующее назначение выводов (0 — заземлен, 1 — свободен):
♦ сигналы PD[1:2] (контакты 67, 68) — объем памяти модуля, Мбайт: 00=4, 11=8, 01=16, 10=32;
♦ сигналы PD[3:4] (контакты 69, 70) — время доступа, нс: 00=100, 10=80, 01=70, 11=60;
♦ сигнал PD5 может являться признаком ECC-модуля (заземленный контакт).
Таблица 7.10. Сигналы модулей SIMM
Сигнал Назначение MAi Multiplexed Address — мультиплексированные линии адреса. Во время спада сигнала RAS# на этих линиях присутствует адрес строки, во время спада CAS# — адрес столбца. Модули SIMM объемом 16 Мбайт могут быть с симметричной (square — квадратной) организацией — 11 бит адреса строк и 11 бит адреса колонок или асимметричной — 12×10 бит соответственно DQx Data Bit — биты данных (объединенные входы и выходы) PQx Parity Bit — бит паритета x-го байта PB-In, PB-Out Parity Bit Input, Output — вход и выход микросхемы бита паритета (для SIPP PB-Out и SIMM-30). Для хранения паритета в этих модулях всегда используются микросхемы с однобитной организацией, у которых вход и выход разделен. Обычно эти контакты на модуле соединены WE# Write Enable — разрешение записи. При низком уровне сигнала во время спада CAS# выполняется запись в ячейку. Переход WE# в низкий уровень и обратно при высоком уровне CAS# переводит выходной буфер EDO DRAM в высокоимпедансное состояние RASx# Стробы выборки строк. Сигналы RAS0# и RAS1# используются соответственно для бит [0:15] и [16:31] первого банка, RAS1# и RAS3# — для бит [0:15] и [16:31] второго банка CASx# Стробы выборки столбцов, отдельные для каждого байта: CAS0# — DQ[0:7], PQ0; CAS1# — DQ[8:15], PQ1; CAS2# — DQ[16:23], PQ2; CAS3# — DQ[24:31], PQ3. В ECC-модулях возможно обращение только ко всему модулю по сигналам CAS0# и CAS1# CAS-Parity# Строб выборки столбцов для контрольных разрядов (редко используемый вариант) OEx# Output Enable — разрешение открытия выходного буфера. Эти выводы на системной плате обычно соединяются с логическим нулем, а для управления буфером используются сигналы RAS#, CAS# и WE#. На некоторых модулях SIMM могут отсутствовать PD[1:5] Presence Detect — индикаторы присутствия (обычно не используются) N.C. No Connection — свободный вывод Модули DIMM-168 и DIMM-184Модуль памяти DIMM-168 (Dual-In-line-Memory Module) имеет 168 независимых печатных выводов, расположенных с обеих сторон (контакты 1-84 — с фронтальной стороны, 85-168 — с тыльной). Разрядность шины данных — 8 байт, организация рассчитана на применение в компьютерах с четырех- и восьмибайтной шиной данных. Конструкция и интерфейс модулей соответствует стандарту JEDEC 21-C. Модули устанавливаются на плату вертикально в специальные разъемы (слоты) с ключевыми перегородками, задающими допустимое питающее напряжение и тип (поколение) применимых модулей. Модули выпускаются для напряжения питания 3,3 и 5 В. Вид модулей и сочетания ключей представлены на рис. 7.13. Толщина модулей с микросхемами в корпусах SOJ не превышает 9 мм, в корпусах TSOP — 4 мм.
Рис. 7.13. Модули DIMM: а — вид модуля DIMM-168, б — ключи для модулей первого поколения, в — ключи для модулей второго поколения, г — вид модуля DIMM-184
По внутренней архитектуре модули близки к SIMM-72, но имеют удвоенную разрядность и, соответственно, удвоенное количество линий CAS#. Также удвоено число сигналов разрешения записи и разрешения выходных буферов, что позволяет организовывать модули в виде двух 4-байтных банков с возможностью их чередования (Bank Interleaving). Модули могут иметь разрядность 64, 72 или 80 бит, дополнительные разряды 72-битных модулей организуются либо по схеме контроля паритета (приписываясь к соответствующим байтам), либо по схеме ЕСС; 80-битные — только по схеме ЕСС.
Модули DIMM первого поколения (по IBM) были ориентированы на асинхронную память (FPM, EDO и BEDO); по архитектуре они напоминают SIMM-72. В модулях применяется параллельная идентификация — параметры быстродействия и объема передаются через 8 буферизованных выводов идентификации (Presence Detect pins). Модули первого поколения не получили широкого распространения, поскольку не принесли принципиальных новшеств в подсистему памяти.
Модули второго поколения отличаются тем, что позволяют использовать микросхемы как асинхронной (FPM и EDO), так и синхронной динамической памяти (SDRAM). Внешне они похожи на модули первого поколения, но отличаются ключом, не допускающим ошибочную установку. Унифицированное назначение выводов позволяет в одни и те же слоты устанавливать как модули DRAM; так и SDRAM. Нумерация бит данных единая для всех типов организации — контрольные биты CBx имеют отдельную нумерацию, их наличие зависит от организации (паритет, ЕСС-72, ЕСС-80).
Модули с любой организацией используют побайтное распределение информационных бит по сигналам CASx# (табл. 7.11), распределение контрольных бит представлено в табл. 7.12. Младший бит адреса приходит по одной линии на все микросхемы модуля. Сигналы управления модулей SDRAM значительно отличаются от модулей DRAM. Исполняемая операция SDRAM определяется сигналами RAS#, CAS# и WE#, синхронизируемыми по фронту соответствующих сигналов CKx. Назначение сигналов модулей приведено в табл. 7.13, назначение выводов модулей DRAM — в табл. 7.14, SDRAM — в табл. 7.15.
Таблица 7.11. Организация информационных и управляющих сигналов для модулей DIMM-168 второго поколения
Линии CAS# (DQMB для SDRAM) 0 1 2 3 4 5 6 7 Биты данных 0-7 8-15 16-23 24-31 32-39 40-47 48-55 56-63 Сигналы для банка 0 DRAM OE0#, WE0#, RAS0# ОЕ2#, WE2#, RAS2# Сигналы для банка 1 DRAM OE0#, WE0#, RAS1# ОЕ2#, WE2#, RAS3# Сигналы для банка 0 SDRAM CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 S0# S0# S2# S2# S0# S0# S2# S2# CK0 CK1 CK2 CK3 CK0 CK1 CK2 CK3 Сигналы для банка 1 SDRAM CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 S1# S1# S3# S3# S1# S1# S3# S3# CK0 CK1 CK2 CK3 CK0 CK1 CK2 CK3Таблица 7.12. Связь контрольных бит с управляющими сигналами для модулей DIMM-168 второго поколения
- Защита компьютера на 100%: cбои, ошибки и вирусы - Петр Ташков - Компьютерное "железо"
- Время — деньги. Создание команды разработчиков программного обеспечения - Эд Салливан - Деловая литература
- Шлюпка. Устройство и управление - Л. Иванов - Техническая литература
- Формирование технологии разработки и принятия предпринимательских решений - Д. Кенина - Управление, подбор персонала
- Язык программирования C++. Пятое издание - Стенли Липпман - Программирование